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晶圆化镀设备 价格:

晶圆化镀设备作为半导体制造中的关键工艺设备,主要用于在晶圆表面沉积金属层(如铜、镍、金、锡等),以满足芯片互连、封装及功能层的需求。其技术核心在于高精度控制金属薄膜的均匀性、厚度和微观结构,直接影响芯片性能和可靠性。

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详细内容

技术指标:

沉积速率:Ni>180nm/min,Pd>30nm/min,Au>4nm/min;

工艺参数:Ni:3-10um,Pd:0.1-1um,Au:0.02-0.15um;

膜厚均匀性:Ni<10%,Pd<10%,Au<15%,WIW、WTW、RTR: Ni<10%,Pd<10%,Au<15%;

破片率:<10PPM;

设备可兼容的晶圆尺寸:全自动模式下可处理翘曲片≤5mm, 产品厚度200—1500um;

系统性能指标:UP time:≥95%,MTTR:≤4hours,MTBF:≥250hours;

晶圆尺寸:8寸,12寸兼容;

8寸+12寸月产量7000片。


晶圆厚度250um (太鼓)

太鼓戒指 2~3毫米

晶圆沉积 硅片 F 面:70~80% 硅片 B 面:

沉积金属 Ni/Pd/Au 厚度:3/0.3/0.03~0.05um

Pad Metal铝/铜

技术指标:

沉积速率:Ni>180nm/min,Pd>30nm/min,Au>

4nm/min;

工艺参数:Ni:3-10um,Pd:0.1-1um,Au:0.02-

0.15um;

膜厚均匀性:Ni<10%,Pd<10%,Au<15%,WIW、WTW、

RTR: Ni<10%,Pd<10%,Au<15%;

破片率:<10PPM;

设备可兼容的晶圆尺寸:全自动模式下可处理翘曲片

≤5mm, 产品厚度200—1500um。

系统性能指标:UP time:≥95%,MTTR:≤4hours, MTBF:≥250hours; 晶圆尺寸:8寸,12寸兼容; 8寸+12寸月产量7000片。

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